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服務(wù)項目

Project
材料分析
IC真?zhèn)螜z測
失效分析
DPA檢測
開發(fā)及功能驗證
可靠性驗證
電磁兼容（EMC）
化學(xué)分析
產(chǎn)品認(rèn)證
其他檢測項目

我們的項目

非破壞性分析

電性檢測

失效點定位

破壞性物理分析

物理分析

工程樣品封裝服務(wù)

競爭力分析

半導(dǎo)體組建參數(shù)分析

電特性測試

點陣信號量測

靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗

· 項目描述

利用SMU(Source measurement unit)供應(yīng)電壓或電流，驗證與量測半導(dǎo)體組件特性(Diode I-V Curve、MOSFET特性曲線等)。如電容-電壓特性曲線、電壓-電流(IV)、電阻、電容、電感值量測或信號波形等， 藉此了解組件的故障行為，以利后續(xù)的分析動作。

· 檢測內(nèi)容

（1）CMOS 晶體管 Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容和 QSCV （2）雙極晶體管 Ic-Vc、二極管、Gummel 曲線圖、擊穿和電容等 （3）分立器件 Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二極管等 （4）內(nèi)存 Vth、電容、耐久性測試 （5）功率器件 脈沖 Id-Vg、脈沖 Id-Vd、擊穿 （6）納米器件 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc （7）可靠性測試 NBTI/PBTI、電荷泵、電遷移、熱載流子注入、斜坡電流（J-Ramp）、TDDB 等

· 應(yīng)用領(lǐng)域

晶體管、分立器件、功率器件、納米器件

· 檢測設(shè)備